Transistori, joissa poikkeava ja tiedonkeruutyökalujen pn risteysalueiden semiconductor alueiden vastakkaiseen johtavuus tyypin välillä muodostuu esteitä. Nämä yhtymäkohdat erotetaan etäisyys on huomattavasti vähemmän vähemmistöjen harjoittaja diffuusio-pituus kuin siten, että vähemmistön harjoittajien ruiskutetaan poikkeava risteys ei recombine ennen saapumista tiedonkeruutyökalujen este ja siksi olla tehokas viivästääkseen tiedonkeruutyökalujen esteen impedanssi. Risteys, transistorit käytetään laajalti, sekä erilliset laitteet että integroidut piirit. Erilliset laitteet havaitaan virtaa käyttävän ja tiheään-sovelluksissa. Risteys transistorit alueen energiankulutus alkaen muutaman milliwatteina, noin 300 W, ominaisen taajuus-0,5 2000 MHz ja kohdassa, saada 10 50 dB. Piimetallin on laajimmin käytetty puolijohde-materiaali, vaikka germanium käytetään edelleen joissakin sovelluksissa. Risteys transistorit sovelletaan sähköisen vahvistus, havaitsemisen ja kytkentävahvistimien ongelma ei vaadi toiminnon yli 200 ° C (392 ° F), 700 V tai 2000 MHz. ei ole kaikki nämä rajoitukset voidaan saavuttaa kuitenkin yhdeksi laitteeksi. Risteys, transistorit luokitellaan lukumäärä ja niiden alueiden eri johtavuus tyypin tilauksen, käyttöisiä ja rakennetta, ja joskus toiminnon periaate. Moderni transistorit digitaalinen piin self-masked tasomaisille kaksois-diffuusio tekniikalla. Metalliseos tekniikkaa ja kasvanut liitos-tekniikka on pääasiassa historiallista merkitystä. Yleinen kuvaus ja tähän käytettyjen termien määrittely ja mekanismin toiminta kuvaus